Транзистор выступает основным компонентом любой электрической схемы. Он является своего рода усилительным ключом. В основе этого полупроводникового прибора находится кремниевый или германиевый кристалл. Транзисторы бывают однополярными и двухполярными и, соответственно, полевыми и биполярными. По типу проводимости они встречаются двух видов - прямые и обратные. Для начинающих радиолюбителей основной проблемой становится распознавание и расшифровка кодировки этих элементов. В нашей статье мы рассмотрим основные виды записи как отечественных, так и зарубежных изделий, а также разберем, что означает маркировка транзисторов.

Виды записи

Производители транзисторов применяют два основных типа шифрования - это цветовая и кодовая маркировки. Однако ни один, ни другой не имеют единых стандартов. Каждый завод, производящий полупроводниковые приборы (транзисторы, диоды, стабилитроны и т. д.), принимает свои кодовые и цветовые обозначения. Можно встретить транзисторы одной группы и типа, изготовленные разными заводами, и маркированы они будут по-разному. Или наоборот: элементы будут различными, а обозначения на них - идентичными. В таких случаях различать их можно только по дополнительным признакам. Например, по длине выводов эмиттера и коллектора либо по окраске противоположной (или торцевой) поверхности. Маркировка ничем не отличается от меток на других приборах. Такая же ситуация и с полупроводниковыми элементами зарубежного производства: каждым заводом-изготовителем применяются свои типы обозначений.

Транзисторы в корпусе типа КТ-26

Рассмотрим, что означает маркировка транзисторов отечественного производства. Данный тип корпуса наиболее популярен среди производителей полупроводниковых приборов. Он имеет форму цилиндра с одной скошенной стороной, три вывода выходят из нижнего основания. В данном случае используют принцип смешанной маркировки, содержащий и кодовые символы, и цветовые. На верхнее основание наносят цветную точку, означающую группу транзистора, а на скошенную сторону - кодовый символ или цветную точку, соответствующие типу прибора. Кроме типа, могут наноситься год и месяц выпуска.

Для обозначения группы используется следующая цветная маркировка транзисторов: группе А соответствует темно-красная точка, Б - желтая, В - темно-зеленая, Г - голубая, Д - синяя, Е - белая, Ж - темно-коричневая, И - серебристая, К - оранжевая, Л - светло-табачная, М - серая.

Тип обозначают посредством указанных ниже символов и красок.

Маркировка года и месяца изготовления

В соответствии с ГОСТ 25486-82, для обозначения даты используют две буквы или букву и цифру. Первый символ соответствует году, а второй - месяцу. Такой вид кодирования применяется не только для транзисторов, но и для других отечественных полупроводниковых элементов. На зарубежных приборах дата обозначается четырьмя цифрами, первые две из которых соответствуют году, а последние - номеру недели. Рассмотрим, что означает кодовая маркировка транзисторов, соответствующая дате изготовления. Год выпуска/символ: 1986 - U, 1987 - V, 1988 - W, 1989 - X, 1990 - А, 1991 - В, 1992 - С, 1993 - D, 1994 - Е, 1995 - F, 1996 - Н, 1997 - I, 1998 - К, 1999 - L, 2000 - М и т. д. Месяц выпуска: первые девять месяцев соответствуют цифрам от 1 до 9 (январь - 1, февраль - 2), а последние - начальным буквам слова: октябрь - О, ноябрь - N, декабрь - D.

Транзисторы в корпусе типа КТ-27

На эти полупроводниковые элементы принято наносить либо буквенно-цифровой код, либо шифр, состоящий из геометрических фигур. Рассмотрим, что означает графическая маркировка транзисторов.

• КТ972А - один «лежачий» прямоугольник.
• КТ972Б - два прямоугольника: левый лежит, правый стоит.
• КТ973А - один квадрат.
• КТ973Б - два квадрата.
• КТ646А - один треугольник.
• КТ646Б - слева круг, справа треугольник.

Кроме того, существует и маркировка торца корпуса, который противоположен выводам:

• КТ 814 - серо-бежевый;
• КТ 815 - сиренево-фиолетовый или серый;
• КТ 816 - розово-красный;
• КТ 817 - серо-зеленый;
• КТ 683 - фиолетовый;
• КТ9115 - голубой.

Транзисторы серии КТ814-817 группы Б могут маркироваться только путем окрашивания торца, без нанесения символьного кода.

Европейская система PRO-ELECTRON

Маркировка транзисторов и других полупроводниковых приборов у европейских производителей осуществляется следующим образом. Код представляет собой символьную запись. Первая буква означает материал полупроводника: кремний, германий и т. п. Наиболее распространен кремний, ему соответствует литера В. Следующий символ - это тип прибора. Далее ставится номер серии продукта. У этого номера существует несколько диапазонов. Например, если указаны цифры от 100 до 999, то эти элементы относятся к изделиям общего назначения, а если перед ними ставится буква (Z10 - А99), то эти полупроводники считаются деталями специального или промышленного назначения. Кроме того, к общей кодировке может добавляться дополнительный символ модификации прибора. Ее определяет непосредственно производитель полупроводниковых элементов.

Первый символ (материал): А - германий, В - кремний, С - арсенид галлия, R - сульфид кадмия. Второй элемент означает тип транзистора: С - маломощный низкочастотный; D - мощный низкочастотный; F - маломощный высокочастотный; G - несколько приборов в одном корпусе; L - мощный высокочастотный; S - маломощный переключающий; U - мощный переключающий.

Американская система JEDEC

Американские производители полупроводниковых приборов используют символьную кодировку, состоящую из четырех элементов. Первая цифра означает число п-н переходов: 1 - диод; 2 - транзистор;3 - тиристор; 4 - оптопара. Вторая буква обозначает группу. Третий знак - это элемента (диапазон от 100 до 9999). Четвертый символ - буква, соответствующая модификации прибора.

Японская система JIS

Данная система состоит из символов и содержит в себе пять элементов. Первая цифра соответствует типу полупроводникового прибора: 0 - фотодиод или фототранзистор; 1 - диод; 2 - транзистор. Второй элемент - буква S, она ставится на всех элементах. Следующая буква соответствует типу транзистора: А - высокочастотный PNP; В - низкочастотный PNP; С - высокочастотный NPN; D - низкочастотный NPN; Н - однопереходной; J - полевой с N-каналом; К - полевой с P-каналом. Далее следует серийный номер продукта (10 - 9999). Последний, пятый, элемент - прибора (зачастую он может отсутствовать). Иногда наносится и шестой символ - это дополнительный индекс (литеры N, M или S), означающий требование соответствия специальным стандартам. В японской системе цветовая маркировка транзисторов не применяется.

SMD элементы

Маркировка SMD-транзисторов бывает только символьной. Из-за миниатюрных размеров этих элементов цветовую кодировку не используют. Единого стандарта шифрования для них не существует. Каждый завод-производитель использует свои символы. Буквенно-цифровой код в данном случае может содержать от одной до трех букв или цифр. Каждый завод выпускает свои таблицы маркировок полупроводниковых элементов.

В данной статье речь пойдет об определению основных параметров как отечественных так и зарубежных транзисторов по таблицам цветовой и символьно – цветовой маркировке.

Цветовая маркировка транзисторов

В данной маркировке используют цветные точки для кодирования параметров транзисторов в корпусах КТ-26 (ТО-92) и КТП-4. При полной цветовой маркировке кодирование типономинала, группы и даты выпуска наносится на срезе боковой поверхности согласно принятой цветовой гамме.

Точку, обозначающую типономинал наносят в левом верхнем углу. Она является началом отсчета. Далее, по часовой стрелке наносятся три точки, означающие группу, год и месяц выпуска соответственно.

При сокращении цветовой маркировке дату выпуска опускают (указывается на вкладыше упаковки). Типономинал указывается на срезе боковой поверхности корпуса. Группа указывается на торце корпуса.

Символьно — цветовая маркировка транзисторов

Отличительная особенность данной маркировки – отсутствие цифр и букв. Типономинал транзистора обозначается на срезе боковой поверхности специальными символом (точки, горизонтальные, вертикальные или пунктирные линии) или цветной геометрической фигурой (круг, полукруг, квадрат, треугольник, ромб и др.). Маркировка группы относится одной (несколькими) точками на торце корпуса (КТ-26, КТП-4).

Цветовая гамма точек, обозначающих группу при данной маркировке, не совпадает со стандартной цветовой гаммой по ГОСТ 24709-81. Она определяется производителем.

Символ круга на боковом срезе транзистора необходимо отличать от точки, которая не имеет четкой формы, т.к. наносится кистью.

Ряд зарубежных фирм использует цветовую маркировку для обозначения коэффициента усиления радиочастотных транзисторов. В таблице показана цветовая маркировка радиочастотных транзисторов фирмы MOTOROLLA. Возможно либо нанесение буквенного кода, либо цветной точки.

Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n транзисторы типа КТ315 и КТ315-1 (комплементарная им пара ). Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты, непосредственно применяются в радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для техники гражданского назначения и для поставки на экспорт. Транзисторы КТ315 и КТ315-1 выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Транзистор КТ315 изготавливается в корпусе КТ-13. В последствии КТ315 стал выпускаться в корпусе КТ-26 (зарубежный аналог TO92), транзисторы в этом корпусе получили дополнительную «1» в обозначении, например КТ315Г1. Корпус надежно предохраняет кристалл транзистора от механических и химических повреждений. Транзисторы KT315H и КТ315Н1 предназначены для применения в цветном телевидении. Транзисторы KT315P и КТ315Р1 предназначены для применения в видеомагнитофоне «Электроника — ВМ». Транзисторы изготавливают в климатическом исполнении УХЛ и в едином исполнении, пригодном как для ручной, так и для автоматизированной сборки аппаратуры.

КТ315 выпускался предприятиями: «Электроприбор» г. Фрязино, «Квазар» г. Киев, «Континент» г. Зеленодольск, «Кварцит» г. Орджоникидзе, ПО «Элькор» Республика Кабардино-Балкария г. Нальчик, НИИПП г. Томск, ПО «Электроника» г. Воронеж, в 1970 г. их производство также было передано в Польшу на предприятие Unitra CEMI.

В результате переговоров в 1970 году Воронежским объединением «Электроника» в плане сотрудничества было передано в Польшу производство транзисторов КТ315. Для этого в Воронеже полностью демонтировали цех, и в кратчайшие сроки вместе с запасом материалов и комплектующих переправили, смонтировали и запустили его в Варшаве. Этот научно производственный центр по электронике, созданный в 1970 году был производителем полупроводников в Польше. Unitra CEMI в конечном итоге обанкротилась в 1990 году, оставив польский рынок микроэлектроники открытым для иностранных компаний. Сайт музей предприятия Unitra CEMI: http://cemi.cba.pl/ . К концу существования СССР общее количество выпущенных транзисторов КТ315 превысило 7 миллиардов.

Транзистор КТ315 выпускается, по сей день рядом предприятий: ЗАО «Кремний» г. Брянск, СКБ «Элькор» Республика Кабардино-Балкария г. Нальчик, завод НИИПП г. Томск. Транзистор КТ315-1 выпускается: ЗАО «Кремний» г. Брянск, завод «Транзистор» Республика Беларусь г. Минск, АО «Элекс» г. Александров Владимирская область.

Пример обозначения транзисторов КТ315 при заказе и в конструкторской документации другой продукции: «Транзистор КТ315А ЖК.365.200 ТУ/05», для транзисторов КТ315-1: «Транзистор КТ315А1 ЖК.365.200 ТУ/02».

Краткие технические характеристики транзисторов КТ315 и КТ315-1 представлены в таблице 1.

Таблица 1 – Краткие технические характеристики транзисторов КТ315 и КТ315-1

Тип	Структура	P К max , P К* т. max , мВт	f гр, МГц	U КБО max , U КЭR*max , В	U ЭБО max , В	I К max , мА	I КБО, мкА	h 21э, h 21Э*	C К, пФ	r КЭ нас, Ом	r б, Ом	τ к, пс
KT315A1	n-p-n	150	≥250	25	6	100	≤0,5	20...90 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Б1	n-p-n	150	≥250	20	6	100	≤0,5	50...350 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315В1	n-p-n	150	≥250	40	6	100	≤0,5	20...90 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Г1	n-p-n	150	≥250	35	6	100	≤0,5	50...350 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Д1	n-p-n	150	≥250	40	6	100	≤0,5	20...90 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Е1	n-p-n	150	≥250	35	6	100	≤0,5	20...90 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Ж1	n-p-n	100	≥250	15	6	100	≤0,5	30...250 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315И1	n-p-n	100	≥250	60	6	100	≤0,5	30 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Н1	n-p-n	150	≥250	20	6	100	≤0,5	50...350 (10 В; 1 мА)	≤7	–	–	–
KT315Р1	n-p-n	150	≥250	35	6	100	≤0,5	150...350 (10 В; 1 мА)	≤7	–	–	–
КТ315А	n-p-n	150 (250*)	≥250	25	6	100	≤0,5	30...120* (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
КТ315Б	n-p-n	150 (250*)	≥250	20	6	100	≤0,5	50...350* (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤500
КТ315В	n-p-n	150 (250*)	≥250	40	6	100	≤0,5	30...120* (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤500
КТ315Г	n-p-n	150 (250*)	≥250	35	6	100	≤0,5	50...350* (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤500
КТ315Д	n-p-n	150 (250*)	≥250	40* (10к)	6	100	≤0,6	20...90 (10 В; 1 мА)	≤7	≤30	≤40	≤1000
КТ315Е	n-p-n	150 (250*)	≥250	35* (10к)	6	100	≤0,6	50...350* (10 В; 1 мА)	≤7	≤30	≤40	≤1000
КТ315Ж	n-p-n	100	≥250	20* (10к)	6	50	≤0,6	30...250* (10 В; 1 мА)	≤7	≤25	–	≤800
КТ315И	n-p-n	100	≥250	60* (10к)	6	50	≤0,6	≥30* (10 В; 1 мА)	≤7	≤45	–	≤950
КТ315Н	n-p-n	150	≥250	35* (10к)	6	100	≤0,6	50...350* (10 В; 1 мА)	≤7	≤5,5	–	≤1000
КТ315Р	n-p-n	150	≥250	35* (10к)	6	100	≤0,5	150...350* (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	–	≤500

Примечание:
1. I КБО – обратный ток коллектора – ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера, измеренный при U КБ = 10 В;
2. I К max – максимально допустимый постоянный ток коллектора;
3. U КBO max – пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе кол- лектора и разомкнутой цепи эмиттера;
4. U ЭБO max – пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора;
5. U КЭR max – пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер;
6. Р К.т max – постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом;
7. P К max – максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора;
8. r б – сопротивление базы;
9. r КЭ нас – сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером;
10. C К – емкость коллекторного перехода, измеренная при U К = 10 В;
11. f гp – граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы общим эмиттером;
12. h 2lэ – коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме мало сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно;
13. h 2lЭ – для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала;
14. τ к – постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.

Габариты транзистора КТ315

Тип корпуса транзистора КТ-13. Масса одного транзистора не более 0,2 г. Величина растягивающей силы 5 Н (0,5 кгс). Минимальное расстояние места изгиба вывода от корпуса – 1 мм (на рисунке обозначено как L1). Температура пайки (235 ± 5) °С, расстояние от корпуса до места пайки 1 мм, продолжительность пайки (2 ± 0,5) с. Транзисторы должны выдерживать воздействие тепла, возникающего при температуре пайки (260 ± 5) °С в течение 4 секунд. Выводы должны сохранять паяемость в течение 12 месяцев с даты изготовления при соблюдении режимов и правил выполнения пайки, указанных в разделе «Указания по эксплуатации». Транзисторы устойчивы к воздействию спирто-бензиновой смеси (1:1). Транзисторы КТ315 пожаробезопасны. Габаритные размеры транзистора КТ315 приведены на рисунке 1.

Рисунок 1 – Маркировка, цоколёвка и габаритные размеры транзистора КТ315

Габариты транзистора КТ315-1

Тип корпуса транзистора КТ-26. Масса одного транзистора не более 0,3 г. Минимальное расстояние места изгиба вывода от корпуса – 2 мм (на рисунке обозначено как L1). Температура пайки (235 ± 5) °С, расстояние от корпуса до места пайки не менее 2 мм, продолжительность пайки (2 ± 0,5) с. Транзисторы КТ315-1 пожаробезопасны. Габаритные размеры транзистора КТ315-1 приведены на рисунке 2.

Рисунок 2 – Маркировка, цоколёвка и габаритные размеры транзистора КТ315-1

Цоколевка транзисторов

Если расположить транзистор КТ315 маркировкой от себя (как показано на рисунке 1) выводами вниз, то левый вывод это база, центральный – коллектор, а правый – эмиттер.

Если расположить транзистор КТ315-1 наоборот маркировкой к себе (как показано на рисунке 2) выводами также вниз, то левый вывод это эмиттер, центральный – коллектор, а правый – база.

Маркировка транзисторов

Транзистор КТ315. Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая сдвинута к левому краю корпуса. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения. Старые же (произведенные до 1971 года) транзисторы КТ315 маркировались буквой, стоящей посередине корпуса. При этом первые выпуски маркировались лишь одной большой буквой, а примерно в 1971 году перешли на привычную двухстрочную. Пример маркировки транзистора КТ315 показан на рисунке 1. Следует также отметить, что транзистор КТ315 был первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.

Транзистор КТ315-1. Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора, а также транзисторы могут маркироваться кодовым знаком. Пример маркировки транзистора КТ315-1 приведен на рисунке 2. Маркировка транзистора кодовым знаком приведена в таблице 2.

Таблица 2 – Маркировка транзистора КТ315-1 кодовым знаком

Тип транзистора	Маркировочная метка на срезе боковой поверхности корпуса	Маркировочная метка на торце корпуса
KT315A1	Треугольник зеленого цвета	Точка красного цвета
KT315Б1	Треугольник зеленого цвета	Точка желтого цвета
KT315В1	Треугольник зеленого цвета	Точка зеленого цвета
KT315Г1	Треугольник зеленого цвета	Точка голубого цвета
KT315Д1	Треугольник зеленого цвета	Точка синего цвета
KT315Е1	Треугольник зеленого цвета	Точка белого цвета
KT315Ж1	Треугольник зеленого цвета	Две точки красного цвета
KT315И1	Треугольник зеленого цвета	Две точка желтого цвета
KT315Н1	Треугольник зеленого цвета	Две точки зеленого цвета
KT315Р1	Треугольник зеленого цвета	Две точки голубого цвета

Указания по применению и эксплуатации транзисторов

Основное назначение транзисторов – работа в усилительных каскадах и других схемах радиоэлектронной аппаратуры. Допускается применение транзисторов, изготовленных в обычном климатическом исполнении в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии транзисторов непосредственно в аппаратуре лаками (в 3 – 4 слоя) типа УР-231 по ТУ 6-21-14 или ЭП-730 по ГОСТ 20824 с последующей сушкой. Допустимое значение статического потенциала 500 В. Минимально допустимое расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) 1 мм для транзистора КТ315 и 2 мм для транзистора КТ315-1. Число допустимых перепаек выводов при проведении монтажных (сборочных) операций – одна.

Внешние воздействующие факторы

Механические воздействия по группе 2 таблица 1 в ГОСТ 11630, в том числе:
– синусоидальная вибрация;
– диапазон частот 1-2000 Гц;
– амплитуда ускорения 100 м/с 2 (10g);
– линейное ускорение 1000 м/с 2 (100g).

Климатические воздействия – по ГОСТ 11630, в том числе: повышенная рабочая температура среды 100 °С; пониженная рабочая температура среды минус 60 °С; изменение температуры среды от минус 60 до 100 °С. Для транзисторов КТ315-1 изменение температуры среды от минус 45 до 100 °С

Надежность транзисторов

Интенсивность отказов транзисторов в течение наработки более 3×10 -7 1/ч. Наработка транзисторов t н = 50000 часов. 98-процентный срок сохраняемости транзисторов 12 лет. Упаковка должна обеспечивать защиту транзисторов от зарядов статического электричества.

Зарубежные аналоги транзистора КТ315

Зарубежные аналоги транзистора КТ315 приведены в таблице 3. Техническую информацию (datasheet) на зарубежные аналоги транзистора КТ315 также можно скачать в таблице ниже. Указанные ниже цены соответствуют состоянию на 08.2018 года.

Таблица 3 – Зарубежные аналоги транзистора КТ315

Отечественный транзистор	Зарубежный аналог	Возможность купить	Предприятие производитель	Страна производитель
КТ315А		нет	Unitra CEMI	Польша
КТ315Б		нет	Unitra CEMI	Польша
КТ315В		нет	Unitra CEMI	Польша
КТ315Г		нет	Unitra CEMI	Польша
КТ315Д		есть	Hitachi	Япония
КТ315Е		есть ~ 4$	Central Semiconductor	США
КТ315Ж		есть ~ 9$	Sprague electric corp.	США
		есть	ITT Intermetall GmbH	Германия
КТ315И		есть ~ 16$	New Jersey Semiconductor	США
		есть	Sony	Япония
КТ315Н		есть ~ 1$	Sony	Япония
КТ315Р		нет	Unitra CEMI	Польша

Зарубежным прототипом транзистора КТ315-1 являются транзисторы 2SC544, 2SC545, 2SC546 предприятие производитель Sanyo Electric, страна производства Япония. Транзисторы 2SC545, 2SC546 также можно приобрести, ориентировочная цена составляет около 6$.

Основные технические характеристики

Основные электрические параметры транзисторов КТ315 при приемке и поставке приведены в таблице 4. Предельно-допустимые режимы эксплуатации транзистора приведены в таблице 5. Вольт-амперные характеристики транзисторов КТ315 приведены на рисунках 3 – 8. Зависимости электрических параметров транзисторов КТ315 от режимов и условий их эксплуатации представлены на рисунках 9 – 19.

Таблица 4 – Электрические параметры транзисторов КТ315 при приемке и поставке

Наименование параметра (режим измерения) единицы измерения	Буквенное обозначение	Норма параметра		Температура, °С
		не менее	не более
Граничное напряжение (I C =10 мА), В КТ315А, КТ315Б, КТ315Ж, КТ315Н КТ315В, КТ315Д, КТ315И КТ315Г, КТ315Е, КТ315Р	U (CEO)	15 30 25	–	25
(I C =20 мA, I B =2 мА), В КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Р КТ315Д, КТ315Е КТ315Ж КТ315И	U CEsat	–	0,4 0,6 0,5 0,9
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (I C =70 мA, I B =3,5 мА), В КТ315Н	U CEsat	–	0,4
Напряжение насыщения база-эмиттер (I C =20 мА, I B =2 мА), В КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТЗ I5P КТ315Д, КТ315Е КТ315Ж КТ315И	U BEsat	–	1,0 1,1 0,9 1,35
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТ315Р КТ315Д, КТ315Е,КТ315Ж, КГ315И	I CBO	–	0,5 0,6	25, -60
Обратный ток коллектора (U CB =10 В), мкА КТ3I5A КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТ315Р КТ315Д, КТ315Е	I CBO	–	10 15	100
Обратный ток эмиттера (U EB =5 В) мкА КТ315А – КГ315Е, КТ315Ж, ХТ315Н КТ315И КТ315Р	I EBO	–	30 50 3	25
, (R BE =10 кОм U CE =25 В), мА, KT3I5A (R BE =10 кОм U CE =20 В), мА, КТ315Б, КТ315Н (R BE =10 кОм U CE =40 В), мА КТ315В (R BE =10 кОм U CE =35 В), мА, КТ315Г (R BE =10 кОм U CE =40 В), мА, КТ315Д (R BE =10 кОм U CE =35 В), мА, КТ315Е	I CER	–	0,6 0,6 0,6 0,6 1,0 1,0 0,005
Обратный ток коллектор-эмиттер (R BE =10 кОм U CE =35 В), мА, КТ315Р	I CER	–	0,01	100
Обратный ток коллектор-эмиттер (U CE =20 В), мА, КТ315Ж (U CE =60 В), мА, КТ315И	I CES	–	0,01 0,1	25, -60
Обратный ток коллектор-эмиттер (U CE =20 В), мА, KT3I5Ж (U CE =60 В), мА, KT3I5И	I CES	–	0,1 0,2	100
Статический коэффициент передачи тока (U CB = 10 В, I E = 1 мА) КТ315А, KT3I5B КТ315Д КТ315Ж КТ315И КТ315Р	h 21E	30 50 20 30 30 150	120 350 90 250 – 350	25
Статический коэффициент передачи тока (U CB = 10 В, I E = 1 мА) КТ315А, KT3I5B КТЗ15Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н КТ315Д КТ315Ж КТ315И КТ315Р	h 21E	30 50 20 30 30 150	250 700 250 400 – 700	100
Статический коэффициент передачи тока (U CB = 10 В, I E = 1 мА) КТ315А, KT3I5B КТЗ15Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н КТ315Д КТ315Ж КТ315И КТ315Р	h 21E	5 15 5 5 5 70	120 350 90 250 – 350	-60
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (U CB = 10 В, I E = 5 мА, f = 100 МГц)	|h 21E |	2,5	–	25
Емкость коллекторного перехода (UCB = 10 В, f = 10 МГц), пФ	C C	–	7	25

Таблица 5 – Предельно-допустимые режимы эксплуатации транзистора КТ315

Параметр, единица измерения	Обозначение	Норма параметра
		КГ315А	КГ315Б	КГ315В	КГ315Г	КТЗ15Д	КГ315Е	КГ315Ж	КГ315И	КТ315Н	КТ315Р
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, (R BE = 10 кОм), В 1)	U CERmax	25	20	40	35	40	35	–	–	20	35
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при коротком замыкании в цепи эмиттер-база, В 1)	U CES max	–	–	–	–	–	–	20	60	–	–
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-база, В 1)	U CB max	25	20	40	35	40	35	–	–	20	35
Макс. допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В 1)	U EB max	6	6	6	6	6	6	6	6	6	6
Макс. допустимый постоянный ток коллектора, мА 1)	I C max	100	100	100	100	100	100	100	100	100	100
Макс. допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт 2)	P C max	200	200	200	200	200	200	200	200	200	200
Макс. допустимая температура перехода, ⁰С	t j max	125	125	125	125	125	125	125	125	125	125

Примечание:
1. Для всего диапазона рабочих температур.
2. При t атв от минус 60 до 25 °С. При повышении температуры более 25 °С P C max рассчитывается по формуле:

где R t hjα – общее тепловое сопротивление переход-окружающая среда, равное 0,5 °С/мВт.

Рисунок 3 – Типовая входная характеристика транзисторов КТ315А – КТ315И, КТ315Н, КТ315Р
Рисунок 4 – Типовая входная характеристика транзисторов КТ315А – КТ315И, КТ315Н, КТ315Р
при U CE = 0, t атв = (25±10) °С Рисунок 5 – Типовые выходные характеристики транзисторов типа КТ315А, КТ315В, КТ315Д, КТ315И
при t атв = (25±10) °С Рисунок 6 – Типовые выходные характеристики транзисторов типа КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н
при t атв = (25±10) °С Рисунок 7 – Типовые выходные характеристики
транзистора КТ315Ж при t атв = (25±10) °С Рисунок 8 – Типовые выходные характеристики
транзистора КТ315Р при t атв = (25±10) °С Рисунок 9 – Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от постоянного тока коллектора для транзисторов типа КТ315А – КТ315И, КТ315Н, КТ315Р при I C /I B = 10,
t атв = (25±10) °С Рисунок 10 – Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от постоянного тока коллектора для транзисторов типа КТ315А – КТ315И, КТ315Н, КТ315Р при I C /I B = 10, t атв = (25±10) °С Рисунок 11 – Зависимость статического коэффициента передачи тока от постоянного тока эмиттера для транзисторов КТ315А, КТ315В, КТ315Д, КТ315И при U CB = 10,
t атв = (25±10) °С Рисунок 12 – Зависимость статического коэффициента передачи тока от постоянного тока эмиттера для транзисторов КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н при U CB = 10,
t атв = (25±10) °С Рисунок 13 – Зависимость статического коэффициента передачи тока от постоянного тока эмиттера для транзистора КТ315Ж при U CB = 10, t атв = (25±10) °С Рисунок 14 – Зависимость статического коэффициента передачи тока от постоянного тока эмиттера для транзистора КТ315Р при U CB = 10, t атв = (25±10) °С Рисунок 15 – Зависимость модуля коэффициента передачи тока по высокой частоте от постоянного тока эмиттера при U CB = 10, f = 100 МГц, t атв = (25±10) °С Рисунок 16 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте от напряжения коллектор-база при I E = 5 мА, t атв = (25±10) °С для КТ315А Рисунок 17 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте от напряжения коллектор-база при I E = 5 мА, t атв = (25±10) °С для КТ315Е, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н,КТ315Р Рисунок 18 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте от тока эмиттера при U CB = 10 В, f = 5 МГц, t атв = (25±10) °С для
КТ315А

Обозначение транзистора КТ315Б на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ315Б обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, - эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.

Характеристики транзистора КТ315Б

• Структура n-p-n
• Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 20 В
• Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 20 В
• Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 100 мА
• Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.15 Вт
• Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 50-350
• Обратный ток коллектора
• Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>250 МГц

Аналоги транзистора КТ315Б

Транзисторы серий КТ315 и КТ 361
Серия этих кремневых транзисторов очень популярна, начиная с прошлого века и по сей день. По мимо всего прочего, у них очень удобный корпус и выводы для поверхностного монтажа. Эти транзисторы очень подружились с микроконтроллерами и часто используются как буферные каскады между МК и периферией. Доступность и цена этой серии радуют любого радиолюбителя, можно брать сразу вёдрами. Функции в радиосхемах этих транзисторов очень разнообразны. Высокая граничная частота позволяет делать на них генераторы вплоть до УКВ диапазона. В маломощных звуковых усилителях они так же хорошо себя зарекомендовали. Цвет корпуса транзисторов может быть жёлтый, зелёный, красный, другие мне не попадались.
Теперь немного подробнее о корпусах: Как отличить КТ315 от КТ361? Как видно на корпусе стоит только маркировка последней буквы серии. Тут есть несколько методов: Первое это нужно запомнить, что база у этой серии справа, а эмиттер слева. Транзистор КТ315Б Если вы смотрите на логотип транзистора и его ноги смотрят вниз. Тут самое простое это вставить транзистор в мультиметр где имеется проверка транзисторов. 315 серия это n-p-n кристалл, 361 серия p-n-p кристалл.
Второй вариант это замерить проводимость переходов мультиметром (база-эмиттер, база- коллектор). КТ315 будут звонится переходы с плюсом на базе, КТ361с минусом на базе.
Ну и последнее, это как я их отличаю: Всё очень просто у КТ315 буква логотипа с лева, а у КТ361 она посередине. Хорошо, пробежимся по электрическим параметрам данных изделий отечественной электроники. Мощность — 150 мВт Граничная частота — 100 МГц Ток коллектора- 100 мА Усиление — 20 — 250 (зависит от буквы и разброса параметров при изготовлении) В реалии, транзисторы одной партии с логотипом «Е» показали разброс усиления от 57 до 186 для кт361 и 106 — 208 для кт 315. Напряжение коллектор-эмиттер — 25в (а,б) , 35в(в,г,д,е), 60в(ж,и). Проверить транзисторы на исправность, несложно. Тем же мультиметром на режиме «прозвонка» проверяем сопротивление между эмиттером и коллектором. В обе стороны должен быт обрыв. Затем звоним переходы от базы на эмиттер и от базы на коллектор. При исправном транзисторе оба перехода (с учётом своей полярности) должны показать примерно одинаковые показатели около 500-600 Ом.

Справка об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора BC847C.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора BC847C .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор BC847C
транзистором 2N2222;
транзистором BC547C;
транзистором
транзистором FMMTA06;
транзистором

Коллективный разум.

Добавлено пользователями:

дата записи: 2016-05-31 01:30:30

Добавить аналог транзистора BC847C.

Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора BC847C?

КТ315: аналоги в мире

Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения.

Содержание справочника транзисторов

Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Добавитьописание полевого транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Добавитьописание биполярного транзистора.

Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).
Добавитьописание биполярного транзистора с изолированным затвором.

Поиск транзистора по маркировке.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.

Типоразмеры корпусов транзисторов.
Магазины электронных компонентов.

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.

Транзисторы КТ817 , — кремниевые, универсальные, мощные низкочастотные, структуры — n-p-n.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, преобразователях и импульсных схемах.
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса — около 0,7 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная — в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ817 цифра 7, второй знак — буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ817.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ817А, КТ817Б, КТ817В — 20 .
У транзистора КТ817Г — 15 .

Граничная частота коэффициента передачи тока — 3 МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзистора КТ817А — 25 в.
У транзисторовКТ817Б — 45 в.
У транзистора КТ817В — 60 в.
У транзистора КТ817Г — 80 в.

Максимальный ток коллектора. — 3 А. Рассеиваемая мощность коллектора — 1 Вт, без теплоотвода, 25 Вт — с теплоотводом.

Напряжение насыщения база-эмиттер 1,5 в.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 0,6 в.

Обратный ток коллектора у транзисторов КТ817А при напряжении коллектор-база 25 в, транзисторов КТ817Б при напряжении коллектор-база 45 в, транзисторов КТ817В при напряжении коллектор-база 60 в, транзисторов КТ817Г при напряжении коллектор-база 100 в — 100 мкА.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, на частоте 1МГц — не более — 60 пФ.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5 в — 115 пФ.

Комплиментарный (аналогичный по параметрам, но противоположной проводимости)транзистор — КТ816 .

Зарубежные аналоги транзисторов КТ817.

КТ817А — TIP31A
КТ817Б — TIP31B
КТ817В — TIP31C
КТ817Г — 2N5192.

Транзисторы — купить… или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — сломанные телевизоры, магнитофоны, приемники и.

Навигация по записям

т. д — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из него.
Проще всего обстоит дело с КТ315. В любой промышленной и бытовой аппаратуре и с середины 70-х годов двадцатого века и заканчивая началом 90-х его можно встретить практически повсеместно.
КТ3102 можно найти в предварительных каскадах усилителей магнитофонов — «Электроника», «Вега», «Маяк», «Вильма» и. т. д.
КТ817 — в стабилизаторах блоков питания тех же магнитофонов, иногда в оконечных каскадах усилителей звука (в магнитолах Вега РМ-238С,РМ338С и. т. п)

На главную страницу

В выходной день, решил собрать видеоусилитель для своей игровой приставки Dendy, для улучшения качества видео изображения. Схема довольно простая, и насчитывает не больше десятка радиодеталей. Собрана она, на очень распространённых советских транзисторах, визуально очень похожих, читаем полезную статью, как отличить транзистор кт315 от кт361 ?

Немого о транзисторах кт315 и кт361

Одни из самых распространенных высокочастотных транзисторов, изготавливаемые из кремния, запасы которого, на нашей планете, весьма впечатляющие. КТ 315, имеет проводимость n-p-n, кт 361 имеет противоположенную. Их объединяет тип корпуса, кт 13, и очень часто, эти биполярные транзисторы используются в паре. Получили огромное распространение в отечественной электронике, в схемах усиления и преобразования.

Как отличить кт315 от кт361

Как правило, данные транзисторы выпускаются в пластиковом корпусе, нескольких цветовых вариантах, желтые, красные, коричневые. Для их сличения, располагаем их маркировкой к себе. Смотрим на маркировку, точнее на её расположение, на корпусе транзистора.

Для определения транзистора кт315, на его корпусе будет отпечатана буква, размещаться она будет, в левой его части сверху. У кт361, буква будет расположена строго по центру.
Цоколёвка у них будет одинаковая, в данной последовательности, эмиттер, коллектор, база.